意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復二極管

提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度

中國，2017年5月22日—— 意法半導體推出最新的MDmesh? Dk5功率MOSFET管，內(nèi)部增加一個快速恢復二極管的甚高壓(VHV)超結(jié)晶體管，這樣結(jié)構(gòu)有助于設計人員最大限度提升各種功率轉(zhuǎn)換拓撲的能效，包括零壓開關(guān)(ZVS)LLC諧振轉(zhuǎn)換器。

作為超結(jié)MOSFET管，新產(chǎn)品額定電壓范圍950V至1050V，開關(guān)性能、導通電阻(RDS(ON))和硅單位面積流過的額定電流等技術(shù)參數(shù)均優(yōu)于平面結(jié)構(gòu)的普通MOSFET晶體管。在大功率設備用功率轉(zhuǎn)換器內(nèi)，例如高總線電壓的電信服務器或數(shù)據(jù)中心服務器、工業(yè)電焊機、等離子發(fā)電機、高頻感應式加熱器和X射線機內(nèi)，意法半導體的新產(chǎn)品讓設計人員能夠提升應用能效，減少并聯(lián)器件數(shù)量，從而提高功率密度。

內(nèi)部快速恢復體二極管讓新產(chǎn)品能夠提升零壓開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器的能效，滿足應用對寬壓輸入和高能效的要求。其它類型的橋式轉(zhuǎn)換器以及電池充電升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器也將受益于新產(chǎn)品的低損耗和高動態(tài)性能。與市面現(xiàn)有的內(nèi)置快速恢復二極管的甚高壓MOSFET相比，意法半導體DK5產(chǎn)品兼?zhèn)渥疃痰姆聪蚧謴蜁r間(trr)、最低的MOSFET柵電荷量(Qg)和導通電阻RDS(ON)，以及超結(jié)產(chǎn)品中良好的輸出輸入電容(Coss, Ciss)。

DK5系列產(chǎn)品擴大了意法半導體的甚高壓超結(jié)晶體管產(chǎn)品陣容，覆蓋800V至1500V電壓范圍，新增六款TO-247、TO-247長腳、Max247和ISOTOP功率封裝產(chǎn)品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已經(jīng)開始量產(chǎn)。